技術(shù)編號：7163293
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及功率器件，特別涉及一種VDMOS器件及其的形成方法。 背景技術(shù)垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管(VDMOS)作為功率器件的一種，由于其具有高輸入阻抗和低導通壓降的優(yōu)點而被廣泛應用?，F(xiàn)有技術(shù)VDMOS器件的形成方法如公開號為CN 101515M7A的中國專利申請中所公開的，具體如圖1所示為VDMOS的結(jié)構(gòu)示意圖， 包括半導體基底01，所述半導體基底01包括襯底Ola及位于襯底Ola上的外延層Olb ’位于所述外延層Olb表面的柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極...
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