技術(shù)編號：7163629
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。相關(guān)申請的交叉引用本申請基于2010年10月21日提交的日本專利申請No. 2010-236389且要求該申請的優(yōu)先權(quán)，該申請的內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。背景技術(shù)1.發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及諸如IC、M0S、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)等的半導(dǎo)體器件，尤其涉及具有雙向阻斷能力的雙向器件或反向阻斷IGBT。本發(fā)明還涉及制造這種半導(dǎo)體器件的方法。2.現(xiàn)有技術(shù)說明以下對一種類型的半導(dǎo)體器件-反向阻斷IGBT進(jìn)行描述。逆變器電路和斷路器電路的主要應(yīng)用領(lǐng)域中的常規(guī)IGBT在...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。