技術(shù)編號(hào)：7163634
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法，具體涉及一種。背景技術(shù)現(xiàn)有的溝槽柵功率器件，在硅襯底正面上方的外延層刻蝕溝槽，生長(zhǎng)柵氧化層，再淀積多晶硅，最后用各向異性干法刻蝕去掉溝槽外面的多晶硅，留下溝槽內(nèi)的多晶硅充當(dāng)器件的柵。淀積多晶硅后，溝槽中心上方的多晶硅會(huì)向下凹陷。這種用各項(xiàng)異性刻蝕方法所形成的溝槽柵功率器件，刻蝕之后會(huì)使溝槽內(nèi)的多晶硅向下凹陷很多，如圖1所示。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種，它可以改善溝槽柵功率器件的溝槽內(nèi)多晶硅柵向下凹陷的程度...
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