技術(shù)編號：7163638
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及由諸如場截止(FS)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)之類的薄半導(dǎo)體晶片形成的半導(dǎo)體器件的制造方法及其制造裝置。背景技術(shù)在由諸如FS IGBT之類的薄硅晶片(在下文中簡稱為晶片)形成的半導(dǎo)體器件的制造步驟中，在晶片的上表面上形成半導(dǎo)體元件的表面結(jié)構(gòu)之后，存在研磨晶片的后表面由此使膜的厚度減小(在下文中簡稱為“減小厚度”)的步驟。在晶片后表面研磨步驟中， 在研磨保護帶附著在晶片的上表面(表面結(jié)構(gòu)的上表面)上之后，使用后表面研磨裝置來將晶片的后表面研磨到所...
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