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技術(shù)編號：7164119

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本發(fā)明涉及一種HBT(Heterojunction bipolar transistor，異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管)器件，特別是涉及一種鍺硅(SiGe)HBT器件。背景技術(shù)在射頻芯片的設(shè)計(jì)中，根據(jù)芯片功能的需要，有時(shí)需要集成不同工作電壓、不同特征頻率(即截止頻率)的鍺硅HBT。例如在射頻收發(fā)器(RF Transceiver)芯片上，其中的功率放大器需要用到高壓鍺硅HBT器件，以達(dá)到高功率輸出的需要；同一芯片上的低噪聲放大器則需要用到標(biāo)準(zhǔn)的鍺硅HBT或高速鍺硅HB...
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