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技術(shù)編號(hào)：7164379

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)，特別涉及MOS器件閂鎖效應(yīng)的監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，芯片面積越做越小，這使得MOS器件閂鎖效應(yīng)越容易發(fā)生。設(shè)計(jì)一個(gè)盡可能小的距離來(lái)減小MOS器件芯片面積，同時(shí)又要確保此距離MOS器件不易發(fā)生閂鎖效應(yīng)足夠安全已成為業(yè)界一個(gè)難題。傳統(tǒng)的MOS器件閂鎖效應(yīng)監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)如圖1、圖2所示。圖1所示的MOS器件閂鎖效應(yīng)監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)，包括相鄰的一個(gè)N阱、一個(gè)P講，所述N阱位于所述P阱的左邊，所述N阱中左部形成有N+有源區(qū)，右部形成有P+...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。

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