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改善mos器件載流子遷移率的方法以及mos器件制造方法技術資料下載

技術編號:7164484

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本發(fā)明涉及半導體制造領域,更具體地說,本發(fā)明涉及一種改善MOS器件載流子遷移率的方法、以及采用了該改善MOS器件載流子遷移率的方法的MOS器件制造方法。背景技術半導體制造行業(yè)一直致力于提高MOSFET (金屬-氧化層-半導體-場效晶體管, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,以下稱為 MOS 器件)載流子遷移率。當前,業(yè)界為改善 CMOS (Complementary Metal Oxide ...
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