技術(shù)編號:7164498
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,更具體地說,本發(fā)明涉及一種柵極側(cè)墻形成方法、采用了該柵極側(cè)墻形成方法的MOS器件制造方法、以及由該MOS器件制造方法制成的MOS器件。背景技術(shù)熱載流子效應(yīng)是MOS (金屬-氧化物-半導(dǎo)體)器件的一個重要的失效機理,隨著 MOS器件尺寸的日益縮小,器件的熱載流子注入效應(yīng)越來越嚴重。以PMOS器件為例,溝道中的空穴,在漏源之間高橫向電場的作用下被加速,形成高能載流子,高能載流子與硅晶格碰撞,產(chǎn)生電離的電子空穴對,電子由襯底收集,形成襯...
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