技術(shù)編號：7166767
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及信息存儲設(shè)備，更具體而言，涉及一種結(jié)合了電阻型存儲元件的存儲單元陣列。背景技術(shù) 現(xiàn)在多種新材料使得制造基于電阻改變的非揮易失性存儲單元成為可能。在具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的材料中，巨磁阻(CMR)材料和高溫超導(HTSC)材料是電阻特性可以被外部影響所改變的材料。例如，具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的材料，特別是CMR和HTSC材料，其性質(zhì)可以通過向薄膜或松散材料施加一種或多種短的電脈沖而改變。脈沖的電場強度或電流密度足以轉(zhuǎn)換材料的物理狀態(tài)，從而改變材料的性質(zhì)。脈沖能量是...
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