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技術(shù)編號(hào)：7167089

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本發(fā)明涉及一種MOS器件的制備方法，具體是一種利用原子層沉積技術(shù)在S-鈍化的Ge襯底上制備等效氧化物厚度為亞納米的MOS器件的方法。背景技術(shù)隨著器件的尺寸持續(xù)縮小，發(fā)展與現(xiàn)存金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 (Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors, MOSFETs)工藝兼容的柵介電薄膜制備技術(shù)，是微電子領(lǐng)域的一個(gè)重要任務(wù)。原子層沉積技術(shù)(Atomic Layer Deposition,ALD)是一...
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