技術(shù)編號(hào):7167501
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及,屬于光伏電池材料制備。背景技術(shù)目前,兩種主流的薄膜太陽(yáng)能電池吸收層半導(dǎo)體材料,銅銦鎵硒(CIGQ材料和碲化鎘(CdTe)材料,在面向大規(guī)模生產(chǎn)時(shí)受到原材料稀缺、昂貴、組成元素的毒性約束,如 CIGS中h金屬非常昂貴,CdTe中的Te產(chǎn)量有限,在電池發(fā)電量達(dá)到GW量級(jí)時(shí)都會(huì)出現(xiàn)原材料瓶頸。另外Cd有毒性,進(jìn)一步增加了生產(chǎn)的難度,因此,需要尋找更優(yōu)的吸收層半導(dǎo)體。近年來(lái),出于尋找廉價(jià)、環(huán)保、高效的太陽(yáng)能電池吸收層半導(dǎo)體材料的需要,三元硫族半導(dǎo)體吸引...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。