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半導(dǎo)體襯底的生產(chǎn)方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):7169209

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本發(fā)明涉及。具體來(lái)說(shuō),本發(fā)明涉及一種能有效地得到高質(zhì)量硅襯底的,在該方法中利用了硅的畸變(distortion)。用圖3(a)-3(e)所示的技術(shù)作為利用畸變生產(chǎn)MOSFET技術(shù)的一個(gè)例子。首先,如圖3(a)所示,在硅襯底1上以外延方式生長(zhǎng)厚度約為300nm的SiGe層2,其中Ge的濃度是20atom%,接著在SiGe層上以外延方式生長(zhǎng)厚度約為20nm的Si層3。然后如圖3(b)所示,在得到的硅襯底1的整個(gè)表面上注入氫離子,然后在約800℃下進(jìn)行熱處理。這...
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