技術(shù)編號：7169425
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種，尤其是涉及一種具有高耐壓P溝道型晶體管的。背景技術(shù)高耐壓ρ溝道型MIS (Metal Insulator kmiconductor 金屬絕緣體半導體)晶體管是使被柵電極和漏電極夾持的區(qū)域比通常的P溝道型MIS晶體管大且降低了該區(qū)域中的P型雜質(zhì)的濃度的結(jié)構(gòu)的晶體管。具有這種結(jié)構(gòu)的該晶體管與通常的晶體管相比緩和了柵電極與漏電極之間的電場，因此耐壓變高。例如在下面的非專利文獻1中公開了一種將用于取出漏電極的雜質(zhì)區(qū)域設為寬度比通常情況寬的P型阱區(qū)域...
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