技術(shù)編號(hào)：7169438
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體，特別是指一種。背景技術(shù)發(fā)光二極管芯片做為第三代光源，具有體積小、節(jié)能環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。而發(fā)光二極管芯片的發(fā)光效率一直是人們努力改善和提高的熱點(diǎn)問(wèn)題。近年來(lái)，除了在磊晶結(jié)構(gòu)部分不斷改善內(nèi)部量子效率的研究之外，在晶粒制程方面也進(jìn)行了較多的研究，通過(guò)嘗試不同的物理結(jié)構(gòu)以增進(jìn)出光效率。但是目前的物理結(jié)構(gòu)對(duì)于出光效率的提升仍有限，發(fā)光二極管芯片的出光效率仍然較低。發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，有必要提供一種具有較高出光效率的。一種發(fā)光二極管...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。