技術(shù)編號：7170060
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及形成用于反射式或半反半透式IXD的TFT陣列基板的方法。背景技術(shù)目前，反射式液晶顯示器、半反半透液晶顯示器由于具有良好的戶外顯示效果和低功耗，因此越來越受到歡迎。圖1為現(xiàn)有技術(shù)的反射式液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)的平面示意圖，參考圖1，現(xiàn)有技術(shù)中的反射式液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)包括柵極11，源極12，漏極13，與柵極11電連接的掃描線14，與源極12電連接的數(shù)據(jù)線15，位于像素區(qū)的公共電極21、像素電極22和反射電極23，其中，反射電極23...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。