技術(shù)編號：7170313
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種PMOS晶體管結(jié)構(gòu)及其制造方法，尤其涉及一種用于提高載流子遷移率的PMOS晶體管的結(jié)構(gòu)及其制造方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，單個尺寸逐漸減小，與此同時，對器件性能要求也在日益提高，主要表現(xiàn)在對器件的工作時間、功耗及穩(wěn)定性的要求。對于常見器件-CMOS晶體管來說，溝道區(qū)中載流子的遷移能力的進(jìn)一步提高有助于提高驅(qū)動電流，力口快器件的開啟速度，然而隨著尺寸不斷縮小，器件的遷移率受到各方面因素限制。CMOS晶體管中溝道區(qū)的材質(zhì)通常為硅...
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