技術(shù)編號：7180175
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)，具體涉及一種功率MOS晶體管內(nèi)集成 肖特基二極管的器件，本發(fā)明還涉及該器件的制造工藝方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體集成電路中，現(xiàn)有典型的功率MOS (金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管結(jié)構(gòu)如圖 1所示。其通過溝道型柵極控制垂直溝道的開啟，實現(xiàn)MOS管的開關(guān)功能。為了提高器件的交頻特性，目前較普遍的做法為在功率MOS晶體管芯片上集成肖 特基二極管，多為分離器件，即在原有功率MOS晶體管芯片旁并聯(lián)一個肖特基二極管芯片， 此方法雖然能提高器件...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。