技術(shù)編號：7180209
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種溝槽MOS器件的制備方法，具體涉及一種溝槽MOS器件中柵極的 制備方法。背景技術(shù)現(xiàn)有溝槽M0SFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管，以下簡稱M0S)的柵極材料一 般是N型注入的多晶硅或者是P型注入的多晶硅。P型多晶硅的注入雜質(zhì)為硼，由于其輕質(zhì) 的特性，當注入劑量或是能量較大時，容易發(fā)生硼穿通的現(xiàn)象，這一現(xiàn)象一旦發(fā)生會導致器 件特性劣化以及可靠性降低。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種溝槽MOS器件中柵極的制備方法，它可以 提高所制備的...
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