技術(shù)編號：7180233
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種雙極晶體管(BJT)，特別是涉及一種雙極晶體管的集電區(qū)。 背景技術(shù)請參閱圖1，這是一個雙極晶體管。PNP雙極晶體管與NPN雙極晶體管的結(jié)構(gòu)相同， 只是各部分結(jié)構(gòu)的摻雜類型相反，下面以NPN雙極晶體管為例進行介紹。在ρ型硅片襯底 10之上具有一個η型重摻雜埋層11，η型重摻雜埋層11之上是η型外延層12 (摻雜濃度 比埋層11小，通常為中、低摻雜)。η型外延層12中有多個淺槽隔離(STI)結(jié)構(gòu)13a、13b、 13c、13d，這些淺槽隔離結(jié)構(gòu)的...
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