技術(shù)編號(hào)：7181780
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，尤其涉及雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體晶 體管及其制造方法，以同時(shí)提高擊穿電壓并降低導(dǎo)通電阻。背景技術(shù)在當(dāng)今的集成電路制造工藝中，已在單一芯片中大量地整合控制器、存儲(chǔ)器、低 電壓操作元件與高電壓功率元件等裝置，因而形成單一芯片系統(tǒng)。為了應(yīng)付高電壓與電 流的需求，電源裝置中通常應(yīng)用如雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(double-diffused metal oxide semiconductor，DM0S)的高電壓裝置，其在高電壓下操作時(shí)具有較低的導(dǎo) ...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。