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技術(shù)編號(hào)：7181790

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本發(fā)明涉及根據(jù)集成電路的溫度變化進(jìn)行的操作控制。背景技術(shù) 作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，可使用DRAM和SRAM。眾所周知，DRAM與SRAM相比價(jià)格低且容量大，但需要更新操作，另一方面，SRAM則不需要更新操作，且使用簡單，但與DRAM相比，價(jià)格高且容量小。作為具備DRAM和SRAM雙方優(yōu)點(diǎn)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，眾所周知是模擬SRAM(叫做VSRAM或PSRAM)。模擬SRAM與DRAM同樣，具有包括動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元，和在內(nèi)部進(jìn)行更新操作的內(nèi)置更新控制單元。因此...
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