技術編號：7182583
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及抗輻照加固微電子學和固體電子學中CMOS電路瞬態(tài)輻照， 尤其涉及一種CMOS集成電路抗單粒子輻照加固電路。背景技術電離輻射在半導體器件中產生電荷有兩種方法，一是直接電離輻照，二是間接電 離輻照這兩種機制都會導致集成電路失效。其中對于直接電離輻照，由入射粒子直接電離產生電荷。當高能帶電粒子穿過半導體 材料時，損失能量，沿著入射路徑離化產生電子空穴對。入射粒子損失所有的能量后，在半 導體材料中經過的路徑稱為射程。LET表示粒子入射材料中單位路徑上損失...
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