技術(shù)編號：7182586
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及納米電子器件及納米加工，尤其涉及一種采用能帶結(jié)構(gòu)漸變 的俘獲介質(zhì)層提高器件性能的電荷俘獲型非易失存儲器及其制作方法。背景技術(shù)非揮發(fā)性存儲器的主要特點是在不加電的情況下也能夠長期保持存儲的信息，它 既有只讀存儲器(ROM)的特點，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重寫，功耗較小。隨 著多媒體應(yīng)用、移動通信等對大容量、低功耗存儲的需要，非揮發(fā)性存儲器，特別是閃速存 儲器(Flash)，所占半導(dǎo)體器件的市場份額變得越來越大，成為一種非常重要的存儲器類 ...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。