技術(shù)編號：7183559
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及使用了 SiC的半導體裝置。背景技術(shù)近年來，作為實現(xiàn)高耐壓、低通態(tài)電阻的下一代的功率設(shè)備材料，談論使用 SiC(Silicon Carbide 碳化硅)。 此外，作為用于功率設(shè)備的微細化及降低通態(tài)電阻的構(gòu)造，已知有溝槽柵極構(gòu)造。 例如，在功率MOSFET中，采用溝槽柵極構(gòu)造成為主流。 圖15是現(xiàn)有的具有溝槽柵極型VDMOSFET的SiC半導體裝置的示意剖視圖。 半導體裝置201具備形成半導體裝置201的基體的N+型的SiC基板202。在 SiC...
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