技術編號：7184428
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種CVD金剛石薄膜探測器制作工藝。 背景技術現(xiàn)有CVD (化學氣相沉積)金剛石薄膜探測器采用先在CVD金剛石薄膜表面鍍金再進行探 測器封裝的工藝。該工藝導致以下技術問題1、 CVD金剛石薄膜上的鍍金層與金屬殼體之間僅以壓力接觸，所制作的探測器電極接觸 不牢固。2、 探測器性能不穩(wěn)定，不利于探測器的使用。3、 探測器漏電流性能差，不利于使用時獲得較高的信噪比。4、 CVD金剛石薄膜與金屬電極之間的歐姆接觸不好，進而影響探測器在輻射探測領域中 的應...
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