技術(shù)編號(hào)：7186379
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體發(fā)光元件(semiconductor light emittingdevice)，特別是有關(guān)于一種橫向磊晶成長(zhǎng)ELOG(epitaxial lateral overgrowth)形成半導(dǎo)體發(fā)光元件的磊晶層的方法。背景技術(shù) 發(fā)光元件是由各種不同材質(zhì)層所構(gòu)成，在磊晶(epitaxial)制作各層材質(zhì)時(shí)，晶體結(jié)構(gòu)中難免會(huì)有缺陷產(chǎn)生，進(jìn)而對(duì)發(fā)光元件產(chǎn)生以下影響1、降低發(fā)光效率；2、降低電子活動(dòng)率；3、增加摻雜離子擴(kuò)散的途徑；4、導(dǎo)致活性層的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。