技術(shù)編號：7190206
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有由高介電體材料所構(gòu)成的柵絕緣膜的。然而，在保持柵絕緣膜為一定厚度的情況下，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的靜電電容的低下的問題并未得到解決。因此，也就考慮了解決這一問題的其它方法，例如，選擇使用氧化鉿(HfO2，比介電常數(shù)ε＝約30)，或二氧化鋯(ZrO2，比介電常數(shù)ε＝約25)等高介電常數(shù)的材料(金屬氧化物)，來作為柵絕緣膜材料。由于使用了這些高介電常數(shù)的金屬氧化物材料來作為柵絕緣膜，所以在實(shí)現(xiàn)薄的SiO2等價厚度的同時，還可以使其物理膜厚增...
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