技術(shù)編號：7195303
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景技術(shù)1、發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種用于半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中形成氧化硅層的旋涂玻璃組合物(SOG)，并涉及由其制備的半導(dǎo)體器件，以及用其形成氧化硅層的方法。更具體地說，本發(fā)明涉及一種含全氫化聚硅氮烷的旋涂玻璃組合物，和其在形成半導(dǎo)體器件上氧化硅層的用途。2、已有技術(shù)的描述半導(dǎo)體器件設(shè)計近來得到快速發(fā)展。尤其，這種進(jìn)展要求半導(dǎo)體器件具有高速運行功能和巨大存儲容量。為滿足這些要求，高密度、高可靠性及快響應(yīng)的半導(dǎo)體器件正在發(fā)展之中。集成電路一般都是將大量活性器件成型在...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。