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技術(shù)編號(hào)：72000

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技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及場(chǎng)效應(yīng)晶體管，特別涉及低導(dǎo)通阻抗且輸出電容小的場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其應(yīng)用器件。 背景技術(shù)圖1至圖3是作為已有低導(dǎo)通阻抗橫型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(以下將場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)稱為MOSFET)的多RESURF(REduced SURface Field)MOSFET，另外，被稱作超級(jí)結(jié)(superjunction)構(gòu)造的MOSFET結(jié)構(gòu)如圖所示，圖1是其立體斜視圖，圖2是其俯視圖，圖3(a)、(b)、(c)是沿圖2的線A-A′、B-B′、C-C′分別剖開器件的剖視圖。 如這些圖所示，在p型半導(dǎo)體襯底(Sub)201的...
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