技術編號：7206234
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種根據(jù)權利要求1前序部分所述的用于制造n型單晶硅太陽能電池 的方法以及根據(jù)這樣的方法所制造的太陽能電池，其中所述太陽能電池具有背側(cè)的p+發(fā) 射極和空間上分開的背側(cè)的近表面地高度摻雜的n++基極區(qū)域、以及叉指式背側(cè)接觸指結(jié) 構(gòu)，所述叉指式背側(cè)接觸指結(jié)構(gòu)分別與P+發(fā)射極區(qū)域和n++基極區(qū)域?qū)щ姷叵噙B接。背景技術多年以來，n型單晶硅晶片上的背側(cè)接觸式太陽能電池已被不同的太陽能電池制 造商開發(fā)出并且一部分已經(jīng)在市場上銷售。在此，例如可以參考SunPow...
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