技術(shù)編號：7206449
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施例大致涉及處理半導(dǎo)體基板的設(shè)備與方法。具體而言，本發(fā)明的 實(shí)施例與快速熱處理腔室中的基板處理有關(guān)。背景技術(shù)快速熱處(RTP)是半導(dǎo)體處理中的一種基板退火程序。在RTP期間，基板一 般是由靠近邊緣區(qū)域的支撐裝置予以支撐，并在受一個(gè)或更多個(gè)熱源加熱時(shí)由其加以旋 轉(zhuǎn)。在RTP期間，一般是使用熱輻射將受控制環(huán)境中的基板快速加熱至最大溫度(高達(dá) 約1350°C)，根據(jù)處理所需而使此最大溫度保持一段特定時(shí)間(從一秒以下至數(shù)分鐘)； 接著將基板冷卻至室溫以進(jìn)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。