技術編號：7207202
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明的實施例大體上是關于半導體處理腔室，更具體地，是關于用于半導體處 理腔室的加熱支撐基座。背景技術半導體處理牽涉到一些不同的化學和物理工藝，藉此在基板上產生微小的集成電 路。構成集成電路的材料層藉由化學氣相沉積、物理氣相沉積、外延生長等而產生。某些材 料層使用光刻膠屏蔽以及濕或干蝕刻技術來圖案化。用于形成集成電路的基板可以是硅、 砷化鎵、磷化銦、玻璃或其它適當的材料。在集成電路的制造中，等離子體處理常用于不同材料層的沉積或蝕刻。等離子體 處理提供許多優(yōu)...
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