技術(shù)編號(hào):7207761
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路(IC),且更特定來(lái)說(shuō)涉及多層IC,且更加特定來(lái)說(shuō)涉及用于 控制層之間的腐蝕的系統(tǒng)和方法。背景技術(shù)IC技術(shù)中需要將芯片(裸片)堆疊在一起以形成多層(3-D) IC裝置。一種形成 3-D裝置的方法是將兩個(gè)(或兩個(gè)以上)層集中到一起且接著將所述層囊封入單一結(jié)構(gòu)中。 相應(yīng)層的表面上的電導(dǎo)體和/或接觸件用于在不同層上的電路之間載運(yùn)電信號(hào)。這些導(dǎo)體 /接觸件極小,直徑約為幾微米,且在暴露于腐蝕性氣氛時(shí)將相對(duì)快速地腐蝕。腐蝕接著干 擾3D裝置的信號(hào)處...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。