技術(shù)編號(hào)：7208966
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括襯底，所述襯底包括摻雜有第一導(dǎo)電類型摻雜劑的第一區(qū)域和第二區(qū)域，以及位于所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間的、摻雜有與第一導(dǎo)電類型相反類型摻雜劑的第三區(qū)域，所述第三區(qū)域由電介質(zhì)層覆蓋，所述襯底還包括在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間橫向延伸的多個(gè)溝槽，所述溝槽填充有絕緣材料并且具有預(yù)定深度，并且通過有源條帶間隔開，所述有源條帶包括具有深度不超過所述預(yù)定深度的摻雜分布。本發(fā)明還涉及一種制造這種半導(dǎo)體器件的方法。背景技術(shù) ...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。