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技術(shù)編號：7209021

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本發(fā)明總體上涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)領(lǐng)域。更具體而言，本發(fā)明涉及一種晶體管半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)利用BiFET技術(shù)，可以在同一半導(dǎo)體管芯上集成諸如異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) 的雙極性晶體管和諸如增強(qiáng)型(E型)和耗盡型(D型)FET的場效應(yīng)晶體管(FET)以提供更大的電路設(shè)計(jì)靈活性。在集成結(jié)構(gòu)中，諸如HBT的雙極性晶體管、E型FET和D型FET均可以針對具體應(yīng)用加以有利地調(diào)節(jié)。例如，可以在諸如半絕緣砷化鎵(GaAs)襯底的襯底上集成HBT、D型FET和E型FET，以分...
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