技術編號：7209836
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型的實施例涉及半導體器件，更具體地，本實用新型的實施例涉及溝槽金屬氧化物半導體場效應晶體管器件。技術背景目前，功率器件被廣泛應用于開關電源、汽車電子、エ業(yè)控制等領域。溝槽金屬氧化物半導體場效應晶體管(Trench-gate M0SFET)由于提高了単位面積芯片內的溝道總寬度，從而減小了漏源導通電阻Rds(on)而得到廣泛應用。然而，在傳統(tǒng)的溝槽MOSFET器件中，存在擊穿電壓BV和導通電阻Rds (on)之間相互制約的問題，提高擊穿電壓BV和降低導...
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