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技術(shù)編號(hào)：7210549

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本發(fā)明涉及具有MISFET的半導(dǎo)體裝置。 背景技術(shù)在此前報(bào)告的金屬S/D(源漏)MISFET(金屬絕緣體半導(dǎo)體元件，Metal Insulator Semiconductor Device)中，源漏及其擴(kuò)展區(qū)部由金屬半導(dǎo)體化合物，例如，由硅化物形成。 然而，決定這些金屬S/DMISFET的電流驅(qū)動(dòng)力及短溝道效應(yīng)耐性的擴(kuò)展部與柵電極的重疊長(zhǎng)度，盡管其重要性，但不能加以積極控制。特別是門(mén)極長(zhǎng)度達(dá)到30nm以下的細(xì)微MISFET 的控制是極為重要的。由硅化物層形...
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