技術(shù)編號(hào):7211127
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造工藝,具體涉及一種。背景技術(shù)SST (超捷)型Flash (閃存)的主要特點(diǎn)是擦除(erase)通過(guò)控 制柵和浮柵間氧化膜隧穿效應(yīng)實(shí)現(xiàn);寫(xiě)入(program)通過(guò)溝道熱電子注 入實(shí)現(xiàn)。以SST IP (超捷IP)應(yīng)用為主的閃存,作為一種主要的非揮發(fā)性存 儲(chǔ)器,其在智能卡、微控制器等領(lǐng)域有著廣泛的用途。與另一種非揮發(fā)性 存儲(chǔ)器EEPORM相比,閃存具有明顯的面積上的優(yōu)勢(shì);但同時(shí),閃存的可 靠性,尤其是可擦寫(xiě)次數(shù),要比EEPROM差,因...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。