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技術(shù)編號：7212539

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本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路及其制造，尤其涉及一種新結(jié)構(gòu)的MOS晶體管及其制作方法。背景技術(shù)在當(dāng)代的信息社會(huì)中，在芯片集成密度最大化和電路性能最優(yōu)化的雙重驅(qū)動(dòng)下，集成電路的核心MOSFET器件不斷的按比例縮小。隨著MOSFET器件尺寸的不斷縮小，當(dāng)器件的特征尺寸進(jìn)入納米尺度以后，在材料，結(jié)構(gòu)和工藝等諸多領(lǐng)域以MOSFET為核心的集成電路遇到了越來越多的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)付這些挑戰(zhàn)，許多新的器件結(jié)構(gòu)和工藝制作方法被提出來應(yīng)用于納米尺度的MOSFET設(shè)計(jì)和制造。肖特基勢...
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