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技術(shù)編號(hào)：7212811

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本發(fā)明總地涉及半導(dǎo)體器件工藝技術(shù)，更具體而言涉及通過(guò)使用單應(yīng)力內(nèi)襯而非雙應(yīng)力內(nèi)襯以改善CMOS器件性能和可靠性的方法和結(jié)構(gòu)。背景技術(shù) 最近，已經(jīng)提出雙應(yīng)力內(nèi)襯(DSL)技術(shù)以在P型MOSFET器件中形成不同于N型MOSFET器件中的應(yīng)力。例如，第一類型的氮化物內(nèi)襯形成于CMOS器件的pMOSFET上，而第二類型的氮化物內(nèi)襯形成于該CMOS器件的nMOSFET上。更具體而言，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在pMOSFET溝道內(nèi)沿電流的方向施加壓應(yīng)力可改善載流子即空穴在其中的遷移...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。

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