技術(shù)編號(hào)：7212931
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。方法示例性實(shí)施例涉及用于制造半導(dǎo)體器件的方法，更具體，涉及制造包括鰭型溝道區(qū)的半導(dǎo)體器件的方法。背景技術(shù) 由于半導(dǎo)體器件的集成密度增加，用于形成傳統(tǒng)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的可用面積因此減小。對(duì)于利用傳統(tǒng)平面晶體管的半導(dǎo)體器件而言，更高的集成密度還導(dǎo)致這種器件中使用的晶體管的溝道長(zhǎng)度的相應(yīng)減小。溝道長(zhǎng)度的減小將導(dǎo)致所得器件的某些參數(shù)的和/或操作特性的改進(jìn)，例如，增加的操作速度。將平面晶體管的溝道長(zhǎng)度減小到大約100nm以下的級(jí)別，還導(dǎo)致...
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