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技術(shù)編號(hào)：7212938

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，因?yàn)榕c在縱向NPN(或PNP)的具有三層橫向構(gòu)造的Si柱狀物上形成MOSFET的半導(dǎo)體器件特別相關(guān)，所以涉及適合于那些要求低導(dǎo)通電阻高耐壓高擊穿電壓的電力開(kāi)關(guān)器件的構(gòu)造。背景技術(shù) 利用MOSFET的電力開(kāi)關(guān)器件，雖然要求低導(dǎo)通電阻和高耐壓，但是現(xiàn)有的平面構(gòu)造的電力MOSFET卻具有當(dāng)導(dǎo)通電阻下降時(shí)耐壓也下降，而當(dāng)高耐壓化時(shí)則導(dǎo)通電阻也將增高這樣的相反關(guān)系。就是說(shuō)，平面構(gòu)造的電力MOSFET，例如，在N+襯底上邊形成的N-外延層的表面上...
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