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技術(shù)編號(hào)：7213107

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本發(fā)明總體涉及半導(dǎo)體器件，例如高性能互補(bǔ)金屬-氧化物-半導(dǎo)體(CMOS)電路，其每個(gè)包含至少一個(gè)n-溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(n-FET)和至少一個(gè)p-溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(p-FET)。更具體，本發(fā)明涉及CMOS電路，其每個(gè)包含至少一個(gè)具有柵極介質(zhì)層和金屬柵極導(dǎo)體的n-FET柵極疊層，和至少一個(gè)具有柵極介質(zhì)層和含硅柵極導(dǎo)體的p-FET柵極疊層，以及涉及用于形成該CMOS電路的方法。背景技術(shù) 在標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)中，n-FET器件使用As(或其它施主)摻雜的n-型多晶硅...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。

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