技術(shù)編號(hào):7214748
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及晶體管用外延晶片及晶體管,特別是涉及其n型InGaAs非合金層的結(jié)構(gòu)。背景技術(shù) 使用以GaAs為代表的化合物半導(dǎo)體的高頻設(shè)備,形變小,能夠?qū)崿F(xiàn)效率高的GHz以上的高頻特性,因此廣泛用于移動(dòng)電話或其他通信器械的放大器等。其中,發(fā)射極·基極結(jié)中使用異質(zhì)結(jié)的異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(以下,稱為HBT)的發(fā)射極層的能隙比基極層的能隙寬,因而可以提高發(fā)射極的注入效率,因此高頻特性優(yōu)良,廣泛用于移動(dòng)電話用高輸出晶體管等。以前的HBT,發(fā)射極/基極結(jié)一般是通過(guò)AlG...
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