技術編號：7215160
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體技術中二氧化硅薄膜生長，尤其涉及一種 生長二氧化硅薄膜的方法。背景技術二氧化硅(Si02)薄膜具有硬度高、耐磨性好、絕熱性好、光透過率高、抗侵蝕能力強以及良好的介電性質，被廣泛地應用于許多工業(yè)領域。 如半導體器件和光電器件，電子器件和集成器件、光學薄膜器件、傳感器 等相關器件中。二氧化硅薄膜已經成為這些領域中使用率極高的材料，一直是人們關注的重點之一。為適應二氧化硅的各種不同功能，現(xiàn)已發(fā)展了多種生長或沉積薄膜的工藝技術。如氣相沉積，等離子體...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。