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技術(shù)編號(hào)：7220752

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本發(fā)明涉及一種鐵電體存儲(chǔ)器、壓電MEMS器件、疊層電容器等 所使用的貴金屬、氧化物、貴金屬的疊層構(gòu)造的蝕刻方法。背景技術(shù)近年來，由于要求半導(dǎo)體元件的高集成化、小型化、低消耗電力， 而尋求微細(xì)圖案的蝕刻技術(shù)。鐵電體存儲(chǔ)器所使用的Ir、 Pt、 IrOx、 PtO、 SRO等的貴金屬、(Ba，Sr)Ti02、 SrTi03等的順電體氧化物、 SrBi2Ta209、 Bi4Ti3012、 Pb(Zr，Ti)03、 (Bi，La)4Ti5012等的鐵電體的反 應(yīng)性...
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