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技術(shù)編號：7221698

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本發(fā)明涉及晶體管設(shè)計和構(gòu)造，且明確地說，涉及MOS和CMOS晶體管以及非易失性存儲器晶體管。背景技術(shù)在將FET和MOS晶體管縮放到非常小的尺寸時存在困難。這些與縮小的溝道長度 有關(guān)的問題被稱為"短溝道效應(yīng)"。一些MOS型亞微裝置可制作成亞微尺寸而不會有問題，因為短溝道效應(yīng)在一些應(yīng) 用中不重要。另一方面，其它裝置需要較大溝道和柵極，因為短溝道效應(yīng)非常重要，但 制造規(guī)則通常不允許裝置的任何劇烈尺寸差異或縮放。舉例來說，對于以較大陣列構(gòu)建 的存儲器裝置來說，無限...
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