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技術(shù)編號(hào)：7222454

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本發(fā)明的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造的領(lǐng)域，特別是一種利用等離子氮化及等離子氮化后的二階段退火(PNA)制程而形成一氮氧化硅(SiOxNy) 柵極介電層，并將其并入柵極堆迭(gate stack)的方法。背景技術(shù)集成電路是由數(shù)百萬個(gè)主動(dòng)及被動(dòng)裝置所組成，而這些主動(dòng)及被動(dòng)裝 置是作為基礎(chǔ)構(gòu)件，例如電晶體、電容器及電阻器。電晶體通常包括源 極(source)、漏極(drain)以及柵極堆迭，而柵極堆迭的組成是于基板 (硅)上方形成一介電層(通常為二氧化硅；SiO2)，...
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