技術(shù)編號(hào)：7222676
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。至少 一 對(duì)間隔的應(yīng)力區(qū)之間包括應(yīng)變超晶格 的半導(dǎo)體器件以及相關(guān)方法 Wang等人的美國(guó)專利5,357,119號(hào)公開一種具有通過減 少擴(kuò)散在超晶格中的合金而實(shí)現(xiàn)的較高遷移率的Si-Ge短周期超晶 格。按照如此方法，Candelaria的美國(guó)專利5,683,934號(hào)公開一種包 括通道層的增強(qiáng)遷移率MOSFET,通道層包含硅與以將通道層置于拉伸應(yīng)力下的百分比替代地存在于硅晶格中的第二金屬的合金。 Wang、 Tsu和Lofgren的7>開國(guó)際申請(qǐng)WO 0...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。