技術編號：7222868
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種。技術背景應晶體管。在已知的示例中，通過施加到柵電極的電壓來控制異質界面處的勢壘(barrier)厚度，并且當元件導通時，通過隧道 電流(tunneling current;K吏載；危子(carrier)能夠通過。這種利用異 質界面的場效應晶體管沒有例如MOSFET中的溝道區(qū)域 (channel region),但是具有較少受高溝道電阻影響的裝置結構。 因此，提供了一種具有高擊穿電壓和低導通電阻(on-resistance) 的功率半導體開關...
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